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成品外径
拖曳旋转 · 滚轮缩放 · 右键平移
截面
电气估算
结构层
阻抗以屏蔽平行双线公式估算（铝箔以等周长圆近似），仅供初步设计参考，实际值以 TDR 量测为准。
阻抗以屏蔽平行双线公式估算（铝箔以等周长圆近似），仅供初步设计参考，实际值以 TDR 量测为准。
各参数同时落在使阻抗（或插损）最高／最低的一侧＝最差角落；场解模式下角落以 2D 场解重算，各项贡献以快速模型估。RSS＝各项平方和开根号（统计上较常见的分布）。
绕包屏蔽箔会在高频产生谐振吸收（suck-out），频点与节距、重叠率有关，本估算未包含；112G 以上建议纵包或确认节距。
设计阶段估算：2D 场解分别求 P／N 单端延迟（另一芯接地）相减；误差来源取「传输条件」的两芯 εr 差、外径差、导体偏心（都加在 N 芯）。理想均匀线的 skew(f) 为常数，此时 EIPS＝Δτ；实际线材 skew 随频率变化，EIPS 请用右侧「EIPS 计算」以实测 .s4p 求。
载入一段裸线（建议 0.5～1 m）实测 .s4p，以目前结构参数拟合：导体损耗系数 a（含粗糙度／电导率差异）、介质损耗系数 b（tanδ 修正）与实测有效介电常数，可套用到本页或写入材料库成为批次材料。
EIPS（Effective Intra-Pair Skew，Moon et al., IEEE SPI 2021）：Skew(f)＝−unwrap∠Sse2d1/2πf＋unwrap∠Sse4d1/2πf；W(f)＝|dB(SCD21avg skew)−dB(SCD21zero skew)|·PSD 归一化；PSD＝sinc²(f/fb)·1/(1+(f/ft)⁴)·1/(1+(f/fr)⁸)，ft＝0.2365/Tr；EIPS＝∫W(f)·|Skew(f)|df＝df·Σ W(k·df)·|Skew(k·df)|。文件只在浏览器内解析，不会上传。
每米用量 g/m（＝ kg/km）；包带依重叠率加计，绞线加 2% 绞入率。
| 锁住 | 变数 | 目前设计 | 搜索范围（没锁时） |
|---|---|---|---|
| 线规Gauge | AWG（单芯实心） | ||
| 绝缘材料Insulation | |||
| 发泡度Foaming | 0 ～ % | ||
| 第二层Second layer | |||
| 绝缘外径Ins. O.D. | 没锁＝依目标阻抗反推；锁住＝固定外径，只留阻抗落在容许内的组合 |
阻抗以屏蔽平行双线公式估算（屏蔽以贴合介质外缘的周长换算等效圆）；地线数量与位置只反映在外形尺寸。插损为导体（集肤＋镀层＋粗糙度＋邻近效应）与介质损耗，未含屏蔽损耗与绕包谐振。公司模型＝同一套公式乘上依公司裸线数据库拟合的修正系数。皆为设计初估，最终以 TDR / VNA 量测为准。
内置材料写在程序里；在这里编辑会创建「覆写」（同 id），删除覆写即恢复内置值。每次修改都记录修改人与时间，可看历史。频率表：依频率内插 tanδ（介质损耗）与 εr（εeff(f)、Z(f)、延迟、S 参数）；表里有 εr 时优先于设计页的频变模型，εr 填 0＝只给 tanδ。